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GWM220-004P3-SL SAM

GWM220-004P3-SL SAM

Nur als Referenz

Teilenummer GWM220-004P3-SL SAM
PNEDA Teilenummer GWM220-004P3-SL-SAM
Beschreibung MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.340
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GWM220-004P3-SL SAM Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGWM220-004P3-SL SAM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
GWM220-004P3-SL SAM, GWM220-004P3-SL SAM Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 208,94 KB)
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GWM220-004P3-SL SAM Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall17-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketISOPLUS-DIL™

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.4mOhm @ 10A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4.38mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5180pF @ 10V

Leistung - max

1.7W, 2.5W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Leistung - max

2.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

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Microsemi

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Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Leistung - max

390W

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