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GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Nur als Referenz

Teilenummer GPA015A120MN-ND
PNEDA Teilenummer GPA015A120MN-ND
Beschreibung IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
Hersteller Global Power Technologies Group
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GPA015A120MN-ND Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGPA015A120MN-ND
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
GPA015A120MN-ND, GPA015A120MN-ND Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 387,8 KB)
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GPA015A120MN-ND Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
IGBT-TypNPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
Leistung - max212W
Schaltenergie1.61mJ (on), 530µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/166ns
Testbedingung600V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)320ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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IRGIB7B60KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

39W

Schaltenergie

160µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

STGD25N40LZAG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

435V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/4.6µs

Testbedingung

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IXGT20N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

150µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/150ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

RJH60D5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 37A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

650µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/135ns

Testbedingung

300V, 37A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

2.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

123nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/93ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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