GP1M010A080N
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| Teilenummer | GP1M010A080N |
| PNEDA Teilenummer | GP1M010A080N |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN |
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.912 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GP1M010A080N Ressourcen
| Marke | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GP1M010A080N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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GP1M010A080N Technische Daten
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2336pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 312W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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