GP1M003A040PG
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| Teilenummer | GP1M003A040PG |
| PNEDA Teilenummer | GP1M003A040PG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.694 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GP1M003A040PG Ressourcen
| Marke | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GP1M003A040PG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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GP1M003A040PG Technische Daten
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TUMT5 Paket / Fall 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
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