GKI07174
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| Teilenummer | GKI07174 |
| PNEDA Teilenummer | GKI07174 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN |
| Hersteller | Sanken |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.022 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GKI07174 Ressourcen
| Marke | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GKI07174 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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GKI07174 Technische Daten
| Hersteller | Sanken |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Ta), 26A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 18.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 650µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 59W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.9nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 35W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.15nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.39W (Ta) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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