GA50JT06-258
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| Teilenummer | GA50JT06-258 |
| PNEDA Teilenummer | GA50JT06-258 |
| Beschreibung | TRANS SJT 600V 100A |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.300 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GA50JT06-258 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GA50JT06-258 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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GA50JT06-258 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 769W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-258 |
| Paket / Fall | TO-258-3, TO-258AA |
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