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FZ600R12KE3HOSA1

FZ600R12KE3HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FZ600R12KE3HOSA1
PNEDA Teilenummer FZ600R12KE3HOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 600A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.644
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FZ600R12KE3HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFZ600R12KE3HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FZ600R12KE3HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)900A
Leistung - max2800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 600A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce42nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Leistung - max

100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.9nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MiniPack2

Lieferantengerätepaket

MiniPack2

APTGF200U120DG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

275A

Leistung - max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FS50R07N2E4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

190W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF600R12ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FZ800R33KL2CB5NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1500A

Leistung - max

9800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.65V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

97nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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