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FW297-TL-2W

FW297-TL-2W

Nur als Referenz

Teilenummer FW297-TL-2W
PNEDA Teilenummer FW297-TL-2W
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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FW297-TL-2W Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFW297-TL-2W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FW297-TL-2W, FW297-TL-2W Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 428,97 KB)
PDFFW297-TL-2W Datenblatt Cover
FW297-TL-2W Datenblatt Seite 2 FW297-TL-2W Datenblatt Seite 3 FW297-TL-2W Datenblatt Seite 4 FW297-TL-2W Datenblatt Seite 5

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FW297-TL-2W Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 20V
Leistung - max1.8W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

183mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

879pF @ 40V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

AO4614A

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

AOE6936

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V

Leistung - max

24W, 39W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

NSTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

QJD1210010

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

500nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 800V

Leistung - max

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