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FT93C66A-IDR-B

FT93C66A-IDR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT93C66A-IDR-B
PNEDA Teilenummer FT93C66A-IDR-B
Beschreibung IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 5.238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT93C66A-IDR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT93C66A-IDR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT93C66A-IDR-B, FT93C66A-IDR-B Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 209,92 KB)
PDFFT93C66A-ITR-T Datenblatt Cover
FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 2 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 3 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 4 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 5 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 6 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 7 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 8 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 9 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 10 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 11

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FT93C66A-IDR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (512 x 8, 256 x 16)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz2MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

70ns

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (128M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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