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FT24C128A-USR-B

FT24C128A-USR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C128A-USR-B
PNEDA Teilenummer FT24C128A-USR-B
Beschreibung IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 7.884
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT24C128A-USR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C128A-USR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C128A-USR-B, FT24C128A-USR-B Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 873,68 KB)
PDFFT24C128A-UTG-T Datenblatt Cover
FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 2 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 3 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 4 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 5 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 6 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 7 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 8 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 9 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 10 FT24C128A-UTG-T Datenblatt Seite 11

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FT24C128A-USR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße128Kb (16K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Zugriffszeit

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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