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FST80150SM5C

FST80150SM5C

Nur als Referenz

Teilenummer FST80150SM5C
PNEDA Teilenummer FST80150SM5C
Beschreibung DIODE MODULE 150V 40A 3MINIMOD
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.484
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FST80150SM5C Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFST80150SM5C
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
FST80150SM5C, FST80150SM5C Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 151,92 KB)
PDFFST80150SM5C Datenblatt Cover
FST80150SM5C Datenblatt Seite 2

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FST80150SM5C Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)40A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If860mV @ 40A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr2mA @ 150V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD Module
Lieferantengerätepaket-

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Diodenkonfiguration

2 Independent

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Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

540mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

450µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

640µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

PRM2

Lieferantengerätepaket

PRM2

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 1000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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