FS900R08A2P2B32BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FS900R08A2P2B32BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FS900R08A2P2B32BOSA1 |
| Beschreibung | MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FS900R08A2P2B32BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FS900R08A2P2B32BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FS900R08A2P2B32BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | - |
| NTC-Thermistor | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Leistung - max 800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11.9nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 62 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 62 |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 960W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 110nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.8A Leistung - max 23W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.66V @ 15V, 8.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 0.34nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Lieferantengerätepaket IMS-2 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Leistung - max 104W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E1 Lieferantengerätepaket E1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 420A Leistung - max 1380W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
