FS50R06YL4BOMA1
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| Teilenummer | FS50R06YL4BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | FS50R06YL4BOMA1 |
| Beschreibung | MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.048 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 29 - Dez 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FS50R06YL4BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FS50R06YL4BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FS50R06YL4BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 55A |
| Leistung - max | 202W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 200pF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 90A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 37.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.7nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 145A Leistung - max 1000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 16nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Leistung - max 600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
