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FR70G02

FR70G02

Nur als Referenz

Teilenummer FR70G02
PNEDA Teilenummer FR70G02
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 70A DO5
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 5.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FR70G02 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFR70G02
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FR70G02, FR70G02 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 773,98 KB)
PDFFR70G02 Datenblatt Cover
FR70G02 Datenblatt Seite 2 FR70G02 Datenblatt Seite 3

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FR70G02 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)70A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 70A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2000V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 2000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S1DL MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

FES10J

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

DB2J31600L

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

800ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-90, SOD-323F

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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