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FR70BR05

FR70BR05

Nur als Referenz

Teilenummer FR70BR05
PNEDA Teilenummer FR70BR05
Beschreibung DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 4.374
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FR70BR05 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFR70BR05
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FR70BR05, FR70BR05 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 772,4 KB)
PDFFR70JR05 Datenblatt Cover
FR70JR05 Datenblatt Seite 2 FR70JR05 Datenblatt Seite 3

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FR70BR05 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)70A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 70A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)500ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial, Radial Bend

Lieferantengerätepaket

A-405

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RGF1MHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SS5P6HM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

690mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SBYV28-200-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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