Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQU5P20TU

FQU5P20TU

Nur als Referenz

Teilenummer FQU5P20TU
PNEDA Teilenummer FQU5P20TU
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 49.170
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQU5P20TU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQU5P20TU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQU5P20TU, FQU5P20TU Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 1.284,11 KB)
PDFFQU5P20TU Datenblatt Cover
FQU5P20TU Datenblatt Seite 2 FQU5P20TU Datenblatt Seite 3 FQU5P20TU Datenblatt Seite 4 FQU5P20TU Datenblatt Seite 5 FQU5P20TU Datenblatt Seite 6 FQU5P20TU Datenblatt Seite 7 FQU5P20TU Datenblatt Seite 8 FQU5P20TU Datenblatt Seite 9 FQU5P20TU Datenblatt Seite 10 FQU5P20TU Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQU5P20TU Datasheet
  • where to find FQU5P20TU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQU5P20TU
  • FQU5P20TU PDF Datasheet
  • FQU5P20TU Stock

  • FQU5P20TU Pinout
  • Datasheet FQU5P20TU
  • FQU5P20TU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQU5P20TU Price
  • FQU5P20TU Distributor

FQU5P20TU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™, TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

545nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

41000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

IRF6100PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-FlipFet™

Paket / Fall

4-FlipFet™

NVMFS5C460NLWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

BSZ097N04LSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 14µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TSDSON-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

DMTH6004SCT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.65mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4556pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

CY8C24123A-24SXI

CY8C24123A-24SXI

Cypress Semiconductor

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC

EVQ-PAC09K

EVQ-PAC09K

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

W25Q64FVSSIG

W25Q64FVSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

MT40A512M16LY-075:E

MT40A512M16LY-075:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

SMBJ12CA-TR

SMBJ12CA-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 12V 25.3V SMB

LM393DR

LM393DR

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.8MA 8-SOIC

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

TCN4337M016R0070

TCN4337M016R0070

CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 2924

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

LTM4605EV#PBF

LTM4605EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

AD8603AUJZ-REEL7

AD8603AUJZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT TSOT5

EMZA250ADA101MF80G

EMZA250ADA101MF80G

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 25V SMD