FQU11P06TU
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| Teilenummer | FQU11P06TU |
| PNEDA Teilenummer | FQU11P06TU |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 40.860 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 21 - Jan 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FQU11P06TU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQU11P06TU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FQU11P06TU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 40.3W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-251 Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 61A (Ta), 270A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 61A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 13V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET L6 Paket / Fall DirectFET™ Isometric L6 |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAKFP (TO-281) Paket / Fall TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.9A (Ta), 62A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 115W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2810pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 140W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
