FQP27N25
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| Teilenummer | FQP27N25 |
| PNEDA Teilenummer | FQP27N25 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQP27N25 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQP27N25 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FQP27N25 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2450pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 191nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.4nC @ 5V Vgs (Max) 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3529pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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