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FQD3N40TF

FQD3N40TF

Nur als Referenz

Teilenummer FQD3N40TF
PNEDA Teilenummer FQD3N40TF
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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FQD3N40TF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQD3N40TF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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FQD3N40TF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT53N60SC6

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

53A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.72mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4020pF @ 25V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

417W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTT52N30P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

52A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3490pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

NTR3162PT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRFDC20PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

320mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

DMN3030LFG-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

751pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Kürzlich verkauft

WSL12062L000FEA

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Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1/4W 1206

7447789002

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FIXED IND 2.2UH 4.02A 23 MOHM

7443556350

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FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

VLP8040T-6R8M

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TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

IHLP2525CZER1R0M01

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FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

CM1624-08DE

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FILTER RLC 40 OHM/12PF/20NH SMD

DSC1001DI5-024.0000

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MEMS OSC XO 24.0000MHZ CMOS SMD

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

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Abracon

CRYSTAL 28.63636MHZ 18PF SMD

CK45-R3AD222K-NRA

CK45-R3AD222K-NRA

TDK

CAP CER 2200PF 1KV RADIAL

06035C104KAT2A

06035C104KAT2A

CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603

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HX1188FNLT

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1-1825027-7

1-1825027-7

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SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V