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FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

Nur als Referenz

Teilenummer FQD13N10LTM
PNEDA Teilenummer FQD13N10LTM
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.938
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FQD13N10LTM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQD13N10LTM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQD13N10LTM, FQD13N10LTM Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 1.412,99 KB)
PDFFQD13N10LTM Datenblatt Cover
FQD13N10LTM Datenblatt Seite 2 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 3 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 4 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 5 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 6 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 7 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 8 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 9 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 10 FQD13N10LTM Datenblatt Seite 11

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FQD13N10LTM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

127nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

520W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

SIE830DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

WFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

10-PolarPAK® (S)

Paket / Fall

10-PolarPAK® (S)

TPC6011(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

VS-6 (2.9x2.8)

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

WPH4003-1E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 55W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

SQM110P06-8M9L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

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QUAD HIGH-SIDE CURRENT SENSOR

MT41J128M16JT-093:K

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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

HMC7044LP10BE

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IC JITTER ATTENUATOR 68LFCSP

ADE7754ARZRL

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Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

VLS252012HBX-2R2M-1

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TDK

FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

CY37064P44-125JXC

CY37064P44-125JXC

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IC CPLD 64MC 10NS 44PLCC

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

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MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E

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AD9515BCPZ

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