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FQA28N50F

FQA28N50F

Nur als Referenz

Teilenummer FQA28N50F
PNEDA Teilenummer FQA28N50F
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.032
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FQA28N50F Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQA28N50F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQA28N50F, FQA28N50F Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 693,09 KB)
PDFFQA28N50F Datenblatt Cover
FQA28N50F Datenblatt Seite 2 FQA28N50F Datenblatt Seite 3 FQA28N50F Datenblatt Seite 4 FQA28N50F Datenblatt Seite 5 FQA28N50F Datenblatt Seite 6 FQA28N50F Datenblatt Seite 7 FQA28N50F Datenblatt Seite 8

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FQA28N50F Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieFRFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.28.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)310W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

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IRF9Z34NSPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI7100DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3810pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

STV160NF03LAT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

10-PowerSO

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

APT1001R1BN

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 5.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

310W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Paket / Fall

TO-247-3

NDF06N60ZH

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1107pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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