FP7G75US60
Nur als Referenz
Teilenummer | FP7G75US60 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | FP7G75US60 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | MODULE IGBT 600V 75A EPM7 | ||||||||||||||||||
Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 648 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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FP7G75US60 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FP7G75US60 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
Datenblatt |
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FP7G75US60 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | Power-SPM™ |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | Half Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
Leistung - max | 310W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 75A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.515nF @ 30V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | EPM7 |
Lieferantengerätepaket | EPM7 |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.5V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket ECONO2 4PACK |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |