FP10R06W1E3BOMA1
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| Teilenummer | FP10R06W1E3BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | FP10R06W1E3BOMA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 600V 100A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.292 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP10R06W1E3BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP10R06W1E3BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FP10R06W1E3BOMA1, FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt
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FP10R06W1E3BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 16A |
| Leistung - max | 68W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 550pF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 155W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 180W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.35nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
