FMU-G16S
Nur als Referenz
| Teilenummer | FMU-G16S |
| PNEDA Teilenummer | FMU-G16S |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F-2L |
| Hersteller | Sanken |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.800 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FMU-G16S Ressourcen
| Marke | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FMU-G16S |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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FMU-G16S Technische Daten
| Hersteller | Sanken |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 400ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F-2L |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 980mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket TUMD2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Stealth™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.4V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket SMPC4.0 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
