Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FJV3110RMTF

FJV3110RMTF

Nur als Referenz

Teilenummer FJV3110RMTF
PNEDA Teilenummer FJV3110RMTF
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 84.720
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FJV3110RMTF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJV3110RMTF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
FJV3110RMTF, FJV3110RMTF Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 279,95 KB)
PDFFJV3110RMTF Datenblatt Cover
FJV3110RMTF Datenblatt Seite 2 FJV3110RMTF Datenblatt Seite 3 FJV3110RMTF Datenblatt Seite 4 FJV3110RMTF Datenblatt Seite 5 FJV3110RMTF Datenblatt Seite 6 FJV3110RMTF Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FJV3110RMTF Datasheet
  • where to find FJV3110RMTF
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FJV3110RMTF
  • FJV3110RMTF PDF Datasheet
  • FJV3110RMTF Stock

  • FJV3110RMTF Pinout
  • Datasheet FJV3110RMTF
  • FJV3110RMTF Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FJV3110RMTF Price
  • FJV3110RMTF Distributor

FJV3110RMTF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Widerstand - Basis (R1)10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PDTA124XT,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

BCR 112F E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

140MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

UNR521W00L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

100MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SMini3-G1

UNR32A300L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F1

UNR911LG0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3

Kürzlich verkauft

LM324N

LM324N

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14DIP

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

LM2901DR2G

LM2901DR2G

ON Semiconductor

IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14SOIC

MAX3387EEUG

MAX3387EEUG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

ECS-327SMO-TR

ECS-327SMO-TR

ECS

XTAL OSC XO 32.7680KHZ CMOS SMD

MAX3387EEUG+T

MAX3387EEUG+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

PME271Y447MR30

PME271Y447MR30

KEMET

CAP FILM 4700PF 20% 1KVDC RADIAL

MMBZ5254B

MMBZ5254B

ON Semiconductor

DIODE ZENER 27V 350MW SOT23-3

TCLT1003

TCLT1003

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SOP

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

AD7997BRUZ-0

AD7997BRUZ-0

Analog Devices

IC ADC 10BIT SAR 20TSSOP