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FIO50-12BD

FIO50-12BD

Nur als Referenz

Teilenummer FIO50-12BD
PNEDA Teilenummer FIO50-12BD
Beschreibung IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
Hersteller IXYS
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FIO50-12BD Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFIO50-12BD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FIO50-12BD, FIO50-12BD Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 163,67 KB)
PDFFIO50-12BD Datenblatt Cover
FIO50-12BD Datenblatt Seite 2 FIO50-12BD Datenblatt Seite 3 FIO50-12BD Datenblatt Seite 4

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FIO50-12BD Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 30A
Leistung - max200W
Schaltenergie4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 30A, 39Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IXGP2N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 2A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

7.8nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/300ns

Testbedingung

800V, 2A, 150Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG6S330UPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 70A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/120ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

APT25GR120BSCD10

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

434µJ (on), 466µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 60A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/300ns

Testbedingung

480V, 60A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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