FGH75T65SHDTLN4
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| Teilenummer | FGH75T65SHDTLN4 |
| PNEDA Teilenummer | FGH75T65SHDTLN4 |
| Beschreibung | FS3 T TO247 75A 650V 4WL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.068 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH75T65SHDTLN4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH75T65SHDTLN4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH75T65SHDTLN4, FGH75T65SHDTLN4 Datenblatt
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FGH75T65SHDTLN4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 455W |
| Schaltenergie | 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 126nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 55ns/189ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 36ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-4 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 3.68mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/216ns Testbedingung 400V, 75A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 29W Schaltenergie 290µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 8.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.2ns/281ns Testbedingung 800V, 3A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 40A Leistung - max 384W Schaltenergie 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/230ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 600µJ (on), 580µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/160ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
