FGH40N60SFDTU
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| Teilenummer | FGH40N60SFDTU |
| PNEDA Teilenummer | FGH40N60SFDTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 290W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH40N60SFDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40N60SFDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH40N60SFDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 290W |
| Schaltenergie | 1.13mJ (on), 310µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/115ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 349W Schaltenergie 870µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/92ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 23A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.72V @ 15V, 7.5A Leistung - max 37W Schaltenergie 47µJ (on), 141µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/101ns Testbedingung 400V, 7.5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 73ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A Leistung - max 150W Schaltenergie 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/148ns Testbedingung 960V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A Leistung - max 350W Schaltenergie 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/180ns Testbedingung 960V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 209µJ (on), 261µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42.5ns/177ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
