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FGH40N60SFDTU

FGH40N60SFDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGH40N60SFDTU
PNEDA Teilenummer FGH40N60SFDTU
Beschreibung IGBT 600V 80A 290W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FGH40N60SFDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH40N60SFDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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FGH40N60SFDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 40A
Leistung - max290W
Schaltenergie1.13mJ (on), 310µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/115ns
Testbedingung400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)45ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/73ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGD3NB60SD-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

125µs/3.4µs

Testbedingung

480V, 3A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

FGH40N60SMD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

870µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

119nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/92ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKP39N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 39A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

800µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/120ns

Testbedingung

400V, 39A, 12.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

84ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IRGI4060DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

23A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.72V @ 15V, 7.5A

Leistung - max

37W

Schaltenergie

47µJ (on), 141µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/101ns

Testbedingung

400V, 7.5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Kürzlich verkauft

CS325S25000000ABJT

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PEX8734-AB80BI G

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IRLML2803TRPBF

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Infineon Technologies

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MMSZ5231BT1G

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DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123

BZX84C3V9

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DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3

STM32L452RET6

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STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64LQFP

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

FDV305N

FDV305N

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MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

TCMT1100

TCMT1100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP