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FGD3440G2-F085

FGD3440G2-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FGD3440G2-F085
PNEDA Teilenummer FGD3440G2-F085
Beschreibung IGBT 400V 26.9A 166W DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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FGD3440G2-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGD3440G2-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGD3440G2-F085, FGD3440G2-F085 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 450,88 KB)
PDFFGD3440G2 Datenblatt Cover
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FGD3440G2-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)26.9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.2V @ 4V, 6A
Leistung - max166W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/5.3µs
Testbedingung300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252AA

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600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

304W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

125ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

HGTG40N60B3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

330A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.05mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

250nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/170ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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