FGD3325G2-F085
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGD3325G2-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FGD3325G2-F085 |
| Beschreibung | IGBT 300V DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGD3325G2-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGD3325G2-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGD3325G2-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 250V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 800ns/5.1µs |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 58W Schaltenergie 140µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/120ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 210A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 50A Leistung - max 290W Schaltenergie 3mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/133ns Testbedingung 600V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 36A Leistung - max 300W Schaltenergie 950µJ (on), 840µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 113nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/270ns Testbedingung 400V, 36A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 300µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/120ns Testbedingung 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 76ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/149ns Testbedingung 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
