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FF150R12ME3GBOSA1

FF150R12ME3GBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF150R12ME3GBOSA1
PNEDA Teilenummer FF150R12ME3GBOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.328
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF150R12ME3GBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF150R12ME3GBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF150R12ME3GBOSA1, FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 493,2 KB)
PDFFF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Cover
FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Seite 2 FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Seite 3 FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Seite 4 FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Seite 5 FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Seite 6 FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Seite 7 FF150R12ME3GBOSA1 Datenblatt Seite 8

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FF150R12ME3GBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Leistung - max695W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce10.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FF450R33T3E3BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

XHP™3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

1000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-XHP100-3

BSM75GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MG06400D-BN4MM

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 400A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

FS3L30R07W2H3FB11BPSA2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EasyPACK™ 2B

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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