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FES8HTHE3/45

FES8HTHE3/45

Nur als Referenz

Teilenummer FES8HTHE3/45
PNEDA Teilenummer FES8HTHE3-45
Beschreibung DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.660
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FES8HTHE3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFES8HTHE3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FES8HTHE3/45, FES8HTHE3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 130,37 KB)
PDFFES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Cover
FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 2 FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 3 FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 4 FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 5

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FES8HTHE3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)500V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 500V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

ESH1B M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

15ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

16pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RRE02VTM4SFHTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TUMD2SM

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

JANTX1N6627

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

440V

Current - Average Rectified (Io)

1.75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 440V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MPG06JHE3_A/100

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

600ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

MPG06

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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