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FERD60M45CT

FERD60M45CT

Nur als Referenz

Teilenummer FERD60M45CT
PNEDA Teilenummer FERD60M45CT
Beschreibung DIODE ARRAY 45V 30A TO220AB
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis
1 ---------- $12,3948
100 ---------- $11,8137
250 ---------- $11,2327
500 ---------- $10,6517
750 ---------- $10,1676
1.000 ---------- $9,6834
Auf Lager 177
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FERD60M45CT Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFERD60M45CT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
FERD60M45CT, FERD60M45CT Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 133,25 KB)
PDFFERD60M45CT Datenblatt Cover
FERD60M45CT Datenblatt Seite 2 FERD60M45CT Datenblatt Seite 3 FERD60M45CT Datenblatt Seite 4 FERD60M45CT Datenblatt Seite 5 FERD60M45CT Datenblatt Seite 6 FERD60M45CT Datenblatt Seite 7

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FERD60M45CT Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypFERD (Field Effect Rectifier Diode)
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If550mV @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr550µA @ 45V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Twin Tower

Lieferantengerätepaket

Twin Tower

APT2X61D60J

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

900ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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