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FDS6911

FDS6911

Nur als Referenz

Teilenummer FDS6911
PNEDA Teilenummer FDS6911
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 262.068
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FDS6911 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS6911
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDS6911, FDS6911 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 305,52 KB)
PDFFDS6911 Datenblatt Cover
FDS6911 Datenblatt Seite 2 FDS6911 Datenblatt Seite 3 FDS6911 Datenblatt Seite 4 FDS6911 Datenblatt Seite 5 FDS6911 Datenblatt Seite 6 FDS6911 Datenblatt Seite 7 FDS6911 Datenblatt Seite 8

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FDS6911 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1130pF @ 15V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3775pF @ 6V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Leistung - max

1.74W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 16V

Leistung - max

1.39W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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