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FDR8308P

FDR8308P

Nur als Referenz

Teilenummer FDR8308P
PNEDA Teilenummer FDR8308P
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
Hersteller ON Semiconductor
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FDR8308P Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDR8308P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDR8308P, FDR8308P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 112,13 KB)
PDFFDR8308P Datenblatt Cover
FDR8308P Datenblatt Seite 2 FDR8308P Datenblatt Seite 3 FDR8308P Datenblatt Seite 4 FDR8308P Datenblatt Seite 5

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FDR8308P Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 10V
Leistung - max800mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
LieferantengerätepaketSuperSOT™-8

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

BSL205NL6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

PG-TSOP-6-6

DMC1030UFDBQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1003pF @ 6V

Leistung - max

1.36W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

BSS8402DW-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115mA, 130mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

DMC3730UVT-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

Leistung - max

700mW

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