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FDPF12N50NZ

FDPF12N50NZ

Nur als Referenz

Teilenummer FDPF12N50NZ
PNEDA Teilenummer FDPF12N50NZ
Beschreibung MOSFET N-CH 500V TO-220FP
Hersteller ON Semiconductor
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FDPF12N50NZ Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDPF12N50NZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDPF12N50NZ, FDPF12N50NZ Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.025,34 KB)
PDFFDPF12N50NZT Datenblatt Cover
FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 2 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 3 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 4 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 5 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 6 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 7 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 8 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 9 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 10 FDPF12N50NZT Datenblatt Seite 11

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FDPF12N50NZ Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUniFET-II™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs520mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1235pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)42W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

3000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

139nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247PLUS-HV

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4735pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

DMP21D6UFD-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46.1pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

X1-DFN1212-3

Paket / Fall

3-UDFN

NTB65N02R

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.04W (Ta), 62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RJK5015DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Kürzlich verkauft

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

NC7WZ17P6X

NC7WZ17P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

PTN3363BSMP

PTN3363BSMP

NXP

IC DVI/HDMI LVL SHIFTER 32HVQFN

RT6238BHGQUF

RT6238BHGQUF

Richtek USA Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 14UQFN

SMBJ5.0A-TR

SMBJ5.0A-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V 13.4V SMB

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

ACF321825-103-TD01

ACF321825-103-TD01

TDK

FILTER LC(T) SMD

74LCX16244MTD

74LCX16244MTD

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V 48TSSOP

TLP227G-2(TP1,N,F)

TLP227G-2(TP1,N,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

AT45DB321D-SU

AT45DB321D-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 66MHZ 8SOIC

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

H1102NLT

H1102NLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100