FDPC8011S
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| Teilenummer | FDPC8011S |
| PNEDA Teilenummer | FDPC8011S |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.046 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDPC8011S Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDPC8011S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDPC8011S Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A, 27A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 13V |
| Leistung - max | 800mW, 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | Powerclip-33 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 900mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-VFBGA Lieferantengerätepaket 9-BGA (1.35x1.35) |
