FDMD8630
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| Teilenummer | FDMD8630 |
| PNEDA Teilenummer | FDMD8630 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.736 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMD8630 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMD8630 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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FDMD8630 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 38A (Ta), 167A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9930pF @ 15V |
| Leistung - max | 2.3W (Ta), 43W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power 5x6 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket MPT6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
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