FDMD84100
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDMD84100 |
| PNEDA Teilenummer | FDMD84100 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.442 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDMD84100 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMD84100 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMD84100 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 50V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | Power 3.3x5 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.4A, 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
