FDMC010N08LC
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| Teilenummer | FDMC010N08LC |
| PNEDA Teilenummer | FDMC010N08LC |
| Beschreibung | FET 80V 10.0 MOHM PQFN33 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMC010N08LC Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMC010N08LC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDMC010N08LC Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Ta), 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2135pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
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Hersteller STMicroelectronics Serie FDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.5nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 109W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
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