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FDC6321C

FDC6321C

Nur als Referenz

Teilenummer FDC6321C
PNEDA Teilenummer FDC6321C
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.600
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FDC6321C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDC6321C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDC6321C, FDC6321C Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 542,68 KB)
PDFFDC6321C Datenblatt Cover
FDC6321C Datenblatt Seite 2 FDC6321C Datenblatt Seite 3 FDC6321C Datenblatt Seite 4 FDC6321C Datenblatt Seite 5 FDC6321C Datenblatt Seite 6 FDC6321C Datenblatt Seite 7 FDC6321C Datenblatt Seite 8

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FDC6321C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.680mA, 460mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Leistung - max700mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketSuperSOT™-6

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30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

35V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Leistung - max

2.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2210pF @ 25V

Leistung - max

68W

Betriebstemperatur

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