FD200R12KE3HOSA1
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| Teilenummer | FD200R12KE3HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FD200R12KE3HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.852 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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FD200R12KE3HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FD200R12KE3HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FD200R12KE3HOSA1, FD200R12KE3HOSA1 Datenblatt
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FD200R12KE3HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single Chopper |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | 1050W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 450W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.4nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 34 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 34 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Leistung - max 260W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.53nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket SOT-227 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 1660W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 26.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 37A Leistung - max 100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 8.9W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 40µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 23-SMD Module Lieferantengerätepaket 23-DIP |
