FCB260N65S3
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Teilenummer | FCB260N65S3 |
PNEDA Teilenummer | FCB260N65S3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.646 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FCB260N65S3 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FCB260N65S3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FCB260N65S3 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | SuperFET® III |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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