ES2F-M3/52T
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Teilenummer | ES2F-M3/52T |
PNEDA Teilenummer | ES2F-M3-52T |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.462 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ES2F-M3/52T Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | ES2F-M3/52T |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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ES2F-M3/52T Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 300V |
Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.02V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200nA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-128 Lieferantengerätepaket CFP5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Comchip Technology Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AA, DO-27, Axial Lieferantengerätepaket DO-27 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |