ES1LD R3G
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| Teilenummer | ES1LD R3G |
| PNEDA Teilenummer | ES1LD-R3G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.082 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ES1LD R3G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ES1LD R3G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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ES1LD R3G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AC (SMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 610mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.9ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 22pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-XDFN Lieferantengerätepaket DSN1006-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
