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ES1FL M2G

ES1FL M2G

Nur als Referenz

Teilenummer ES1FL M2G
PNEDA Teilenummer ES1FL-M2G
Beschreibung DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 2.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ES1FL M2G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerES1FL M2G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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ES1FL M2G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F.8pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AB
LieferantengerätepaketSub SMA
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 50A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

RA

Lieferantengerätepaket

RA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

DSI30-16A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.29V @ 30A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 1600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 400V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

BAT46

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

150mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

JANTX1N6620

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

220V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 220V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SFA1005GHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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