Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

EM6M1T2R

EM6M1T2R

Nur als Referenz

Teilenummer EM6M1T2R
PNEDA Teilenummer EM6M1T2R
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 254.610
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EM6M1T2R Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEM6M1T2R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
EM6M1T2R, EM6M1T2R Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 116,67 KB)
PDFEM6M1T2R Datenblatt Cover
EM6M1T2R Datenblatt Seite 2 EM6M1T2R Datenblatt Seite 3 EM6M1T2R Datenblatt Seite 4 EM6M1T2R Datenblatt Seite 5 EM6M1T2R Datenblatt Seite 6 EM6M1T2R Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • EM6M1T2R Datasheet
  • where to find EM6M1T2R
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor EM6M1T2R
  • EM6M1T2R PDF Datasheet
  • EM6M1T2R Stock

  • EM6M1T2R Pinout
  • Datasheet EM6M1T2R
  • EM6M1T2R Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • EM6M1T2R Price
  • EM6M1T2R Distributor

EM6M1T2R Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13pF @ 5V
Leistung - max150mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketEMT6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI4909DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 20V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-DIL™

CWDM305PD TR13

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HP8M31TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC, 38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF, 2300pF @ 30V

Leistung - max

3W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-HSOP

DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2026pF @ 30V

Leistung - max

2.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Kürzlich verkauft

USBUF01W6

USBUF01W6

STMicroelectronics

FILTER RC(PI) 33 OHM/47PF SMD

VNS3NV04DP-E

VNS3NV04DP-E

STMicroelectronics

IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC

AD7817BRUZ

AD7817BRUZ

Analog Devices

SENSOR DIGITAL -40C-85C 16TSSOP

PNZ108CLR

PNZ108CLR

Panasonic Electronic Components

SENSOR PHOTO 900NM TOP TO206AA

LTC1773EMS#TRPBF

LTC1773EMS#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 10MSOP

CPH3225A

CPH3225A

Seiko Instruments

CAP 11MF 3.3V SURFACE MOUNT

AT25640AN-10SU-2.7

AT25640AN-10SU-2.7

Microchip Technology

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOIC

EVQ-PAC09K

EVQ-PAC09K

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

IRF7811ATRPBF

IRF7811ATRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC

M4A5-32/32-10JNC

M4A5-32/32-10JNC

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC

LAN8710AI-EZK-TR

LAN8710AI-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN

SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8