Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

EFC6611R-TF

EFC6611R-TF

Nur als Referenz

Teilenummer EFC6611R-TF
PNEDA Teilenummer EFC6611R-TF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.898
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 24 - Apr 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EFC6611R-TF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEFC6611R-TF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
EFC6611R-TF, EFC6611R-TF Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 706,17 KB)
PDFEFC6611R-TF Datenblatt Cover
EFC6611R-TF Datenblatt Seite 2 EFC6611R-TF Datenblatt Seite 3 EFC6611R-TF Datenblatt Seite 4 EFC6611R-TF Datenblatt Seite 5 EFC6611R-TF Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • EFC6611R-TF Datasheet
  • where to find EFC6611R-TF
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor EFC6611R-TF
  • EFC6611R-TF PDF Datasheet
  • EFC6611R-TF Stock

  • EFC6611R-TF Pinout
  • Datasheet EFC6611R-TF
  • EFC6611R-TF Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • EFC6611R-TF Price
  • EFC6611R-TF Distributor

EFC6611R-TF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket6-CSP (1.77x3.54)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CSD87352Q5D

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V

Leistung - max

8.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerLDFN

Lieferantengerätepaket

8-LSON (5x6)

SI4941EDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

CMLDM7003T TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

CSD88599Q5DCT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4840pF @ 30V

Leistung - max

12W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

22-PowerTFDFN

Lieferantengerätepaket

22-VSON-CLIP (5x6)

SI6973DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

Kürzlich verkauft

ADT7411ARQZ-REEL

ADT7411ARQZ-REEL

Analog Devices

SENSOR DIGITAL -40C-120C 16QSOP

AS5040-ASST

AS5040-ASST

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 512PPR

ST62T20CB6

ST62T20CB6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 4KB OTP 20DIP

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

EP3SL50F780C3N

EP3SL50F780C3N

Intel

IC FPGA 488 I/O 780FBGA

74HC273D

74HC273D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC

PD55015-E

PD55015-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

BTS723GWXUMA1

BTS723GWXUMA1

Infineon Technologies

IC PWR SW 2CH 58V HISIDE PDSO14

MMSZ4699T1G

MMSZ4699T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 12V 500MW SOD123

P170SP1-FC15AR10K

P170SP1-FC15AR10K

TT Electronics/BI

POT 10K OHM 1/20W PLASTIC LOG

PC817XNNIP0F

PC817XNNIP0F

SHARP/Socle Technology

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD

ADA4861-3YRZ-RL7

ADA4861-3YRZ-RL7

Analog Devices

IC OPAMP CFA 3 CIRCUIT 14SOIC