EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR |
| PNEDA Teilenummer | EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.996 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 8 - Feb 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR, EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Datenblatt
(Total Pages: 137, Größe: 12.382,97 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Datasheet
- where to find EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
- EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR PDF Datasheet
- EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Stock
- EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Pinout
- Datasheet EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
- EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Price
- EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Distributor
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (128M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 134-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 134-FBGA (10x11.5) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (11.43x13.97) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.2ns Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-FBGA (6x8) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 121-WFBGA Lieferantengerätepaket 121-FBGA (6.5x8) |
Hersteller Winbond Electronics Serie SpiFlash® Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs, 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
