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ECH8693R-TL-W

ECH8693R-TL-W

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8693R-TL-W
PNEDA Teilenummer ECH8693R-TL-W
Beschreibung MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT-28
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.436
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ECH8693R-TL-W Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8693R-TL-W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ECH8693R-TL-W, ECH8693R-TL-W Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 300 KB)
PDFECH8693R-TL-W Datenblatt Cover
ECH8693R-TL-W Datenblatt Seite 2 ECH8693R-TL-W Datenblatt Seite 3 ECH8693R-TL-W Datenblatt Seite 4 ECH8693R-TL-W Datenblatt Seite 5

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ECH8693R-TL-W Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketSOT-28FL/ECH8

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 20V

Leistung - max

17.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

330mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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NTHD4502NT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 15V

Leistung - max

640mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Paket / Fall

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